로옴 (ROHM) 주식회사(이하 로옴)는 기업용 고성능 서버 및 AI 서버의 전원용으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항과 높은 SOA 내량을 실현한 Nch 파워 MOSFET를 개발했다고 밝혔다.
고도의 데이터 처리 기술 및 디지털 트랜스포메이션 가속화에 따라 데이터 센터를 서포트하는 서버 및 AI 처리를 위한 고도의 계산 능력을 구비한 서버 수요가 증가하고 있다.
이러한 서버는 24시간 가동되기 때문에 전원부에 여러 개 사용되는 MOSFET의 ON 저항으로 인한 도통 손실이 시스템 전체의 성능이나 에너지 효율에 크게 영향을 미친다. 특히 AC-DC 변환 회로의 경우 도통 손실의 비율이 높기 때문에 낮은 ON 저항의 MOSFET가 요구되고 있다.
또한, 서버에 표준적으로 탑재된 핫스왑 기능은 전원을 투입한 상태로 내부 보드나 스토리지 디바이스를 교환할 시, 서버 내부에서 큰 돌입 전류를 발생시킨다. 따라서, 서버 내부나 MOSFET를 보호하기 위해서는 넓은 안전 동작 영역, 즉 높은 SOA 내량이 반드시 필요한 상황이다.
로옴의 신제품은 기업용 고성능 서버에 사용되는 12V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로 2차측 및 핫스왑 컨트롤러(HSC) 회로에 최적인 RS7E200BG(30V)와 AI 서버에 사용되는 48V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로 2차측에 최적인 RS7N200BH(80V), RS7N160BH (80V)로 총 3개 기종이다.
5.0mm×6.0mm 패키지 사이즈로 DFN5060-8S 패키지를 새롭게 개발하여 기존의 HSOP8 패키지 대비, 내부 칩 면적이 약 65％ 향상됐다. 30V 제품인 RS7E200BG는 0.53mΩ(Typ.), 80V 제품인 RS7N200BH는 1.7mΩ (Typ.)으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현하여 서버 전원 회로의 효율을 높이고자 했다.
더불어 패키지 내부의 클립 디자인 형상을 개선하여 방열성을 높임으로써, 어플리케이션 신뢰성 확보에 기여하는 SOA 내량도 향상됐다. 특히, 30V 제품인 RS7E200BG는 SOA 내량이 70A 이상(조건 : 펄스폭=1ms, VDS=12V 시)으로 기존 HSOP8 패키지 제품에 비해 동일 조건에서 2배 향상됐다. 이로써 5.0mm×6.0mm의 패키지 사이즈 기준, 업계 최고 수준인 높은 SOA 내량을 실현했다.
신제품은 월 100만 개의 생산 체제로 양산을 개시했으며 전공정은 로옴의 시가 공장, 후공정은 태국의 OSAT이 진행한다. 인터넷 판매도 개시하여 Chip 1 Stop™, CoreStaff Online™ 등 온라인 부품 유통 사이트에서도 구입 가능하다.
로옴 관계자는 “2025년 내 AI 서버의 핫스왑 컨트롤러 회로에 대응하는 파워 MOSFET를 순차적으로 양산할 예정”이라며 “라인업을 계속적으로 확충하여 어플리케이션의 고효율 동작 및 신뢰성 향상에 기여해 나갈 것”을 밝혔다.
임민지 기자 minzi56@etnews.com
