히시스(대표 장상현)가 반도체 제조공정 중 특정 온도 유지가 필요한 가스 배관 히팅솔루션을 개발해 실증에 들어간다.
면상필름 발열 기술로 부품 소형화와 전력 효율성을 극대화해 정밀한 온도 균일도를 충족시켰다.
반도체 8대 공정 중 박막 공정은 유해가스가 다량 발생하며, 대기 중으로 배출시키기 위해 반드시 정화 장치를 사용해야 한다. 공정에 사용되는 가스 종류에 따라 다양한 스크러버가 사용되는데 이러한 정화설비는 환경 보호와 공정 효율성 향상에 중요한 역할을 한다.
그러나 챔버에서 스크러버로 이동하는 유해가스는 일정 온도가 유지되지 않으면 기체에서 고체로 승화돼 부산물(파티클)이 발생하고, 이로 인해 배관이 막히는 현상이 발생한다.
히시스가 개발한 히팅장치는 반도체 가스 파우더 현상을 억제하고 배관 플랜지의 고온을 유지한다. 고전압화, 빠른 승온속도, 높은 열밀도 특징을 가진 차세대 히터로 기존 히팅자켓 대비 15~20% 전력에너지 절감 효과도 있다.
가스 파우더 문제로 인한 예방정비 주기를 기존보다 연장해 교체 비용을 낮추고, 반도체·디스플레이 제조장비 생산성도 높일 수 있다.
히시스는 내년 6월까지 대전테크노파크 '기업수요 맞춤형 실증 테스트베드 지원사업'에 참여해 본격적인 상용화에 앞서 제품 테스트에 들어간다. 이 사업은 시제품 단계 제품 서비스에 대한 실제환경 검증테스트와 상용화를 지원한다.
나노종합기술원에서 보유하고 있는 클램프히터 적용 전 LSN 공정의 프로세스 누적 시간과 관로 내 부산물 형성 데이터를 활용해 장비 가동률 증가, 전력 소비 감소, PM비용 절감 등 클램프히터 사용 전·후 ROI데이터 추출을 진행한다.
또 부산물을 확보해 히팅온도 조건에 따른 고형화 물질의 종류를 분석하고, 반응물질 잔류 여부를 확인해 PM작업 시 작업자의 유해환경 노출을 방지하고 작업 안전성을 높일 수 있는 연구도 병행할 계획이다.
장상현 히시스 대표는 “미세화 공정 확대와 생산수율 향상을 위해 공정 온도를 높이고 온도정밀도가 우수한 히팅제품이 요구되고 있는 추세”라며 “고객사에 대한 신규 제품 진입장벽을 낮추고 차세대 히터기술로 입지를 강화해 나가도록 하겠다”고 말했다.
양승민 기자 sm104y@etnews.com
