삼성전자가 미국 현지 반도체 위탁생산(파운드리)을 위해 건설 중인 텍사스주 테일러 팹(공장)에서 내년 말 4나노(㎚) 공정 양산을 본격화한다.
경계현 삼성전자 DS부문 사장은 14일 개인 사회관계망서비스(SNS)를 통해 “테일러 팹 공사가 한창, 첫 번째 공장 외관 골조가 완성되고 내장 공사가 시작되고 있다”며 이같이 밝혔다. 경 사장은 앞서 올 1월에도 테일러 팹 공사 현장을 찾아 “올해 내에 공장이 완공되고 내년이면 미국 땅에서 최고 선단 제품이 출하될 것”이라고 알렸다.
경 사장은 주요 고객사가 각사 주요 제품을 미국 땅에서 생산되기를 기대하고 있다며 테일러 팹 4나노 생산이 그 시작이 될 것임을 시사했다.
또 고대역폭메모리(HBM), 소켓을 연결하는 전기 인터페이스 '인터포저', 차세대 패키징 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS)' 등 하드웨어 수급이 공급 부족으로 원활하지 않을 것으로 내다봤다.
그러나 인공지능(AI) 열풍이 여전하며 클라우드, 생성형 AI, 엣지단에서 디바이스 AI 등에 대한 관심이 높은 상황에서 모두가 미래를 위해 적극적인 투자에 나서고있다고 평가했다. 특히 칩, 패키지, 시스템, 솔루션 등 다양한 단계에서 가치를 높이는 개발이 한창이라고 진단했다.
경 사장은 “부품(반도체) 공급자로서고객의 요구에 조금이라도 더 부합하기 위해 최선의 노력을 다할 것”이라며 “미래를 위해 AI 판(AI가 주도하는 시장)에서 삼성전자가 가치 창출과 가치 획득을 위해 무엇을 더해야 할지 진지하게 고민할 때”라고 강조했다.
박종진 기자 truth@etnews.com
