국내 연구진이 높은 동작 범위와 채널 전도도를 갖는 IGZO 뉴로모픽 전자소자를 개발하는 데 성공했다. 이 전자소자를 활용하면 차세대 기술로 주목받고 있는 뉴로모픽 반도체 기술에 적용이 가능할 전망이다.
아주대는 박성준 전자공학과 교수가 세계 최고 수준의 높은 동작 범위(dynamic range)와 채널 전도도(channel conductance)를 갖는 IGZO 뉴로모픽 전자소자를 개발했다고 16일 밝혔다.
차세대 기술로 주목받고 있는 뉴로모픽 전자소자는 인간의 뇌와 같이 연산과 저장을 동시에 할 수 있어 전력 소모가 적고 연산 속도가 빠르다는 장점이 있다.
이를 활용하면 사물 인터넷, 자율 주행 등의 폭넓은 활용이 가능해 화학·반도체 소재 및 응용 분야 산업계에서 높은 관심을 받을 것으로 전망한다.
박성준 교수는 “이번 연구는 세계 최고 수준의 동적 범위와 채널 전도도를 동시에 만족하는 뉴로모픽 전자소자를 성공적으로 개발했다는 데 그 의의가 있다”며 “화학소재 합성 및 반도체 공학의 융합기술로, 앞으로 인공지능(AI) 알고리즘을 동반한 사물인터넷(IoT), 증강현실(AR), 가상현실(VR), 확장현실(XR), 의료 빅데이터 분석 및 진단 등에 널리 활용될 것으로 기대한다”고 말했다.
이 논문은 '초-동적범위 IGZO 뉴로모픽 트랜지스터(Ultra-large dynamic range synaptic indium gallium zinc oxide transistors)'라는 제목으로 국제 저명 학술지 '어플라이드 머터리얼스 투데이(Applied materials today)' 10월 온라인판에 게재됐다.
이번 연구에는 곽태현 아주대 전자공학과 석사과정 학생과 김명진 한국화학연구소(KRICT) 박사, 이원준 미국 퍼듀대 박사가 공동 제1저자로 참여했다.
수원=김동성기자 estar@etnews.com
