"순도 99.9998%"…에스티아이, SiC 잉곳 파우더 국산화

'화학기상전송 성장로' 독자 개발
장비·소재 종합 소부장 기업 도약
반도체 웨이퍼 전량 '수입 의존'
3000억원 규모 대체 효과 기대

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에스티아이(STI)가 반도체 핵심 소재인 실리콘카바이드(SiC) 잉곳 파우더를 국산화했다. SiC 파우더는 반도체 웨이퍼 잉곳의 기초 소재로 사용된다. 전량 수입에 의존해 온 품목이다.

에스티아이는 SiC 반도체 잉곳 제조 장비인 '화학기상전송(PVT) 성장로'를 독자 개발하고 SiC 잉곳 파우더 개발에 연구 인력 20여명과 100억원을 투입했다. 1단계로 잉곳 성장으로 기술을 확보한 뒤 이를 기반으로 잉곳 원료인 파우더까지 개발했다.

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SiC 잉곳 파우더 국산화로 2000억~3000억원 규모의 수입대체 효과가 나타날 것으로 기대된다. 일본 후지경제연구소에 따르면 세계 SiC 파우더 시장은 올해 2조원대에서 2024년 2조9500억원 규모로 성장할 것으로 전망된다. 이 중 일본 덴소와 퍼시픽, 스미토모화학, 쇼와덴코가 1급 SiC 반도체의 절반 가까이 점유하고 있다.

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SiC 파우더 합성온도 조건 변화에 따른 특성<자료=에스티아이>
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SiC 잉곳

서태일 에스티아이 대표는 “반도체 장비 테스트를 위해 일본 A사 원료를 수입, 잉곳 성장을 진행했지만 어려움이 있었다”면서 “SiC 고순도 잉곳 제품을 구현하면서 일본 A사 제품(99.8%) 대비 고순도 5N급 잉곳 파우더(99.9998%) 개발에 성공했다”고 말했다.

에스티아이는 반도체 석영유리 전기로, SiC 반도체 성장로 등 장비를 주로 개발해 온 장비기업이다. SiC 잉곳 파우더 개발로 장비와 소재를 아우르는 종합 소부장 기업으로 도약할 방침이다. 에스티아이 이외에 SK실트론, 하나머티리얼즈 등이 반도체 웨이퍼 사업 성과를 기반으로 SiC 웨이퍼와 잉곳, 파우더 국산화에 도전하고 있다.

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에스티아이 연구원이 대구 본사 연구소에 SiC 반도체 분말 제품 성능을 살펴보고 있다

김지웅기자 jw0316@etnews.com


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