남석우 삼성전자 부사장은 33년간 반도체 공정기술 전문가로서 세계 최초 20나노 D램 개발 등 차세대 제품 개발을 주도해 반도체 산업의 글로벌 경쟁력 강화에 기여한 공로를 인정받았다. 특히 세계 최초 D램 유전막 개발 등 핵심 공정 개발 주역을 맡으면서 핵심 신설비·신공정 양산 기술을 선제 확보하는 데 중추적인 역할을 수행했다.
남 부사장은 D램 고유전막 형성 기술, V낸드 에칭 기술, 비메모리·D램 극자외선 노광 기술 등 반도체 원천기술 선행 개발을 주도하며 기술력을 확보했다. V낸드 에칭 기술을 활용해 업계 최초로 셀의 3차원 수직 적층(3D 낸드) 구조를 제품화했고 이를 기반으로 메모리 업계 유일하게 6세대 V낸드 양산과 생산성 20% 향상이란 성과를 거뒀다.
그는 또 20나노 D램을 세계 최초로 개발하고 양산에 성공함으로써 글로벌 경쟁 기업 대비 생산성 75% 향상 등 기술 격차를 크게 벌리며 대한민국이 세계 최고 반도체 강국으로 성장하는데 크게 일조했다. 이후 4세대 10나노 D램, 6세대 V낸드까지 초격차 경쟁력을 이어가는 역할을 수행했다.
남 부사장은 글로벌 반도체 공급난 해소에도 한몫했다. 국내 화성·평택 그리고 중국 시안을 통합하는 시스템 기반 반도체 생산 체제를 구축하고 제품 수율 향상 활동으로 높은 생산성을 구현했다.
이와 동시에 저전력 친환경 반도체 생산, 공정 가스·전력 사용량 절감 등 메모리 제조 과정에서 발생되는 온실가스 배출량 절감에도 적극 동참, ESG 경영에 앞장섰다. 협력사와 동반 성장을 위한 상생 협력·반도체 우수 인력 양성 등 국내 반도체 생태계 조성을 위한 노력도 힘쓰고 있다.
안수민기자 smahn@etnews.com
