신설 M16팹에 EUV 노광기 구축
M14 팹서도 장비 업그레이드 진행
신공장 본격 가동 전 시험생산 채비
SK하이닉스가 극자외선(EUV)을 이용한 차세대 D램 양산 준비에 착수했다. 이천 반도체 공장에 EUV 라인 구축에 나섰다.
24일 업계에 따르면 SK하이닉스는 경기도 이천 D램 공장 내에 EUV 라인 구축을 시작했다. 기존 설비를 이관하고 EUV 공정에 맞는 신규 장비를 들여오는 작업을 추진 중이다.
구체적으로 M14 팹 장비를 업그레이드하는 중이며, 신규 오픈을 앞두고 있는 M16에 EUV 노광기가 들어설 예정이다.
SK하이닉스가 M14와 M16을 동시에 준비하는 건 EUV 노광기가 사용된 웨이퍼가 M14와 M16에서 병행 생산될 계획이기 때문이다.
SK하이닉스는 M16에 EUV 노광기를 설치하지만 팹 간 연결로 M14에서도 EUV를 적용한 D램을 생산할 방침인 것으로 알려졌다.
업계 관계자는 “신규 공장에서 차세대 메모리를 생산하기 전, 위험 요인을 제거하기 위해 기존 팹에서 칩을 만들어보는 작업을 선행하려는 것”이라고 전했다.
EUV는 기존 불화아르곤(ArF) 광원보다 파장이 14분의 1 정도 짧아, 반도체에 미세 회로 패턴을 구현할 때 유리하다. 복잡한 공정수를 줄일 수 있어 반도체 생산성도 향상시킬 수 있다.
이런 EUV의 기술적 장점에 SK하이닉스는 차세대 D램인 '4세대 10나노급(1a) D램' 양산에 EUV 공정 적용을 추진했는데 구체적인 장비 이설과 도입 계획을 확정, 추진함에 따라 EUV D램 생산 준비에 속도를 내고 있는 것으로 풀이된다.
SK하이닉스는 지난해 초부터 사내에 EUV TF를 조직해 EUV를 활용한 D램 공정 기술 확보에 심혈을 기울였다.
회사는 차세대 전략 제품이 될 1a D램에서 미세 공정이 반드시 필요한 1개 레이어에 EUV 기술 적용을 목표로 하는 것으로 전해졌다.
업계 관계자는 “SK하이닉스의 1a D램 공정 기술이 상당한 수준에 오른 것으로 안다”며 “칩 디자인 뿐 아니라 EUV 관련 소재·부품·장비 전반으로 자사 기술을 개발하기 위해 공을 들이고 있다”고 말했다.
SK하이닉스 관계자는 “EUV D램 양산을 준비하고 있지만 구체적 생산 계획은 확인해 줄 수 없다”고 밝혔다.
강해령기자 kang@etnews.com
