삼성전자가 올 하반기 7나노 극자외선(EUV) 공정을 처음 도입하고 시험생산에 돌입한다.
삼성전자는 22일(현지시간) 미국 산타클라라 매리어트호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2018'을 개최하고 이 같은 내용으로 파운드리 사업 전략과 첨단 공정 로드맵, 응용처별 솔루션을 소개했다. 이날 포럼에는 팹리스 업계 고객사, 파트너사, 애널리스트 등 약 500명이 참석했다.
삼성전자는 주력 양산 공정인 14·10나노 공정과 극자외선(EUV)을 활용한 7, 5, 4, 3나노 공정까지 로드맵을 공개했다. 7나노 LPP(Low Power Plus) EUV 공정은 올 하반기 시험생산 후 내년 상반기 본격 생산을 시작한다. 5나노 LPE(Low Power Early) 공정은 7나노 대비 면적과 소비전력을 축소된다. 4LPE/LPP는 핀펫 기술을 적용한 마지막 공정으로 5나노 공정을 쓰던 고객사가 쉽게 해당 공정을 활용할 수 있도록 지원한다.
3나노에선 GAAE(Gate-All-Around Early), GAAP(Gate-All-Around Plus) 기술이 처음으로 적용된다. 삼성전자는 이 기술의 독자 명칭을 MBCFET(Multi Bridge Channel FET)이라고 정했다. 전류가 흐르는 게이트 통로를 기존 각형 핀펫 구조에서 원통형으로 바꾸는 것이 핵심이다. 핀펫은 3개 면에서 전류가 흘렀지만, GAA는 원통을 감싸는 모든 면으로 전류를 흘릴 수 있다. 전류가 흐르는 통로가 커지면 그 만큼 성능이 좋아진다.
다만 이 같은 계획은 지난해 밝힌 로드맵과는 다소 차이가 있는 것이다. 당초 삼성은 6나노, 5나노 양산 계획을 밝히며 5나노가 마지막 핀펫 공정이 될 것이라고 설명했다. 아울러 4나노에 GAA 기술을 적용할 것이라고 설명했다. 올해 로드맵에선 6나노가 사라졌다.
배영창 삼성전자 파운드리 사업부 전략마케팅팀장(부사장)은 “지난 한해 EUV 공정을 적용한 포트폴리오를 강화하는 데 주력해왔다”면서 “향후 GAA 구조를 차세대 공정에 적용함으로써 단순히 기술 리더십을 선도할 뿐 아니라 좀 더 스마트하며 기기 간 연결성을 강화한 새로운 시대를 열어갈 수 있으리라 기대한다”고 말했다.
삼성 파운드리 포럼 2018은 미국을 시작으로 6월 중국 상하이, 7월 한국 서울, 9월 일본 도쿄, 10월 독일 뮌헨에서도 개최된다.
한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com
