삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 메모리 반도체 업계가 소비전력을 크게 낮춘 초저전력 메모리 경쟁에 나섰다. 최근 서버나 고사양 PC 제품들이 전력 소비 절감에 초점을 맞추면서 늘어난 초저전력 메모리 수요에 대응하기 위한 것으로 내년 큰폭 성장이 예상되는 울트라북 시장을 겨냥한 제품이다.
초저전력 메모리는 1.5V 소비전력 D램 메모리에 대비해 40%까지 전력 소비량을 낮춰 최대 1.25V까지 지원이 가능하다. 삼성전자와 SK하이닉스는 올해 20나노급 미세공정으로 양산에 들어가 해외 경쟁 업체를 크게 앞지를 것으로 예상된다.
1일 삼성전자는 지난해 30나노급 소비전력 1.25V 초저전력 SD램(DDR3U·Ultra Low Power SDRAM)을 개발, 같은 해 10월부터 양산에 들어간데 이어 올해 20나노급 미세공정에서도 양산 중이라고 밝혔다. 삼성전자는 엔터프라이즈 서버를 겨냥한 이 제품을 기반으로 1.25V 16기가바이트(GB) 서버용 모듈인 DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module)을 선보이고 서버 업체에 공급하고 있다. 올해는 4기가비트(Gb) D램 기반으로 용량이 가장 큰 32GB 서버용 모듈까지 개발, 프리미엄 메모리 시장에서 자리매김할 방침이다.
지난해 30나노급 소비전력 1.35V 4Gb 저전력 SD램(DDR3L·Low Power SDRAM)을 내놓은 하이닉스도 최근 1.25V 4Gb 초저전력 SD램을 개발했다. 1.35V 제품은 지난해 델과 IBM, HP 등 주요 서버 업체들로부터 인증을 획득, 양산에 들어갔으며 1.25V 제품은 상반기 중에 양산 돌입할 예정이다. 또, 클라우드 컴퓨팅 환경 대응을 위한 데이터센터 서버용 64GB 초고용량 모듈도 개발 중이다.
저전력 메모리 제품은 메모리 탑재가 많은 서버나 배터리 수명이 핵심인 노트북 컴퓨터 시장에서 수요가 계속 늘어나고 있다. 특히, 1.25V DDR3U는 스마트패드와 울트라북 시장에서 주목을 받고 있다. 업계 전문가들은 올해까지 스마트패드나 노트북과 울트라북에 DDR3L 제품이 주로 사용되지만 내년에는 DDR3L과 DDR3U이 모두 울트라북 수요에 몰릴 것으로 관측하고 있다.
관련 업계 관계자는 “DDR3U 메모리는 내년 상반기께 울트라북 확산에 따라 수요가 집중될 것으로 전망된다”며 “국내 업체들이 20나노급 양산에 들어가면서 30나노급에 비해 생산성이 60% 가량 높아져 해외 경쟁업체에 비해 탁월한 원가경쟁력으로 관련 시장을 선점할 것으로 기대된다”고 말했다.
서동규기자 dkseo@etnews.com
