관련 통계자료 다운로드 R램 저항체 개념도 삼성전자가 기존 플래시메모리보다 데이터 기록과 삭제를 100만배 이상 더 많이 할 수 있는 차세대 메모리 반도체 기술을 개발했다.
삼성전자 종합기술원은 차세대 메모리로 주목받는 ‘저항메모리반도체(RRAM:Resistive RAM)’의 내구성과 처리속도를 크게 향상시킨 기술 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.
이 기술을 적용하면 통상 100만번가량 데이터 기록과 삭제가 가능한 기존 플래시메모리보다 처리 횟수를 100만배 늘린 1조번까지 반복할 수 있다.
삼성종기원은 RRAM의 저항변화 물질로 ‘산화탄탈륨(Ta205)’을 사용, 산소 함량이 다른 산화탄탈륨 ‘Ta2O5-x’와 ‘TaO2-x’ 2중층으로 나눠 전류를 흘려주는 필라멘트를 ‘Ta2O5-x’의 한 층에만 분포되도록 함으로써 내구성을 강화하고 전류량도 낮췄다고 설명했다. 또, 트랜지스터와 레지스터(Resistor)를 각각 1개씩 구성하는 ‘1T1R(1 Transistor 1 Resistor)’ 기존 RRAM 구조를 별도 트랜지스터가 필요 없는 구조로 변경, 메모리 용량을 늘릴 수 있다고 덧붙였다.
삼성종기원 관계자는 “RRAM의 내구성을 100만배가량 높인 기술은 이번에 처음으로 개발된 것”이라며 “상용화는 향후 5년 후에나 가능하지만 향후 차세대 메모리 기술 경쟁에서 주도권을 쥘 수 있는 전환점을 마련했다는 데 의미가 있다”고 말했다.
삼성전자의 연구 결과는 영국에서 발간하는 학술지 ‘네이처 머티어리얼스(Nature Materials)’의 7월 10일자 인터넷판에 ‘산화탄탈륨(Ta2O5-x/TaO2-x)의 비대칭 2중층 구조로 빠른 전환, 고내구성의 대용량 RRAM 구현’이라는 제목으로 게재됐다.
서동규기자 dkseo@etnews.com
