동부하이텍, CIS 파운드리사업 호조...물량 3배 증가

　동부하이텍의 CMOS 이미지 센서(CIS) 파운드리 사업이 올들어 호조를 띄고 있다.

동부하이텍 반도체부문은 지난 달 CIS 생산량(선적 기준)이 월 7500여 장에 달하는 등 CIS 월 생산량이 연초 대비 3배 가까이 증가했다고 15일 밝혔다. 현재 3∼4 곳의 신규 팹리스 고객 유치 작업을 진행하고 있어 이달 계약을 체결하면 내달부터 매월 1만5000여 장을 생산, 공급할 것으로 추정된다. 지난해 CIS 파운드리 공급물량이 약 10만 장 정도인 점을 감안하면 올해 CIS 파운드리 물량은 약 50% 가까이 증가할 것으로 분석된다.

이러한 실적은 중국·인도 등의 신흥 시장에서 30만 화소(VGA)급의 휴대폰 생산량이 크게 확대되고 있기 때문이다. 중국 내 일부 지역에서만 시작하던 3G 서비스가 5월부터 전국으로 확대, 30만 화소와 130만 화소의 2개 CIS칩이 들어간 3G휴대폰의 수요가 점차 늘어나고 있는 것이다.

이 회사는 CIS 파운드리 강화를 위해 3분기 중 110나노급 공정을 이용한 CIS 파운드리 공정 기술을 개발한다. 동부는 이를 통해 현재 130 나노와 0.18 ㎛ 공정에서 4분기부터 110나노급 공정으로 핵심 공정을 본격 전환한다. 동부하이텍 관계자는 “110나노급 공정기술로는 현재 200만 화소 파운드리 제품만을 개발하고 있지만 향후 300·500만 화소 등 다양한 제품을 추가 개발한다”고 말했다.

또 이 회사는 CIS 화질에서 핵심 역할을 하는 ‘화소’ 기술를 9월께 독자 개발, 국내외 팹리스에 제공키로 했다. 동부 측은 IP(설계 자산)화 된 픽셀을 제공, 통상 1년 이상 소요되는 고객의 CIS 화소 개발 기간을 6개월 가량 단축, 고객이 급변하는 시장 상황에 신속히 대응토록 지원한다는 것이다.

동부하이텍 관계자는 “월 4만장을 생산할 수 있는 CIS 전문 팹에서 칩 사이즈를 줄인 경쟁력 있는 제품을 보다 안정적이고 신속하게 공급해 연간 70억 불 규모에 달하는 거대 CIS 시장에서 고객인 팹리스 기업과 함께 동반 발전하는 것을 목표로 하고 있다”고 말했다.

안수민기자 smahn@etnews.co.kr