하이닉스(대표 김종갑)는 세계 최초로 54㎚급 1G DDR2 D램 제조기술을 개발해 특별상을 수상했다.
이 제품엔 미세 패턴 형성을 위한 이머전 ArF 공정 기술과 양산화 기술이 적용됐다. D램의 트랜지스터 특성을 향상시키기 위한 메탈 게이트 배리어 물질의 적층화 기술과 듀얼 폴리 게이트 기술 등 50나노급 D램 양산을 위해 개발된 최첨단 신기술이 효율적으로 적용됐다는 평가다.
공정 미세화에 따라 메모리 반도체에 발생할 수 있는 각종 결함 요인을 혁신적인 테스트 방식으로 걸러내고 통계에 기반한 분석 시스템을 구축한 것도 특징이다. 하이닉스는 이 기술을 바탕으로 웨이퍼 1장당 생산할 수 있는 다이 수를 기존 66㎚ 공정보다 36% 향상시켜 수익성을 높일 수 있었다.
