하이닉스반도체(대표 김종갑)는 세계 최초로 54 나노 기술을 적용한 2기가비트(Gb) 모바일 D램 제품을 개발, 중국 우쉬(HC2)공장에서 내년 상반기 내 양산에 들어간다고 3일 밝혔다. 2Gb 용량은 일간지 1년 6개월 치, 단행본 320권, 고해상도 사진 800장 저장이 가능하다. 하이닉스는 고용량화·저전력화·고속화·소형화로 급변하는 모바일 D램 시장을 선도할 계획이다.
이 제품은 멀티칩패키지(MCP)와 패키지온패키지(PoP on Package) 제품에 들어가는 모바일 D램 제품 중에서 최대 용량이다. 시중에서 최대 용량인 1Gb 대비 2배 용량을 구현한다. 모바일 D램 시장에서 1위인 삼성전자는 56 나노 1Gb, 2위 엘피다도 60 나노급 1Gb 제품을 양산한다.
하이닉스의 2Gb 모바일 D램은 전력 소비도 기존 메모리 제품 대비 8분의 1에 불과하다. 장시간 사용하는 휴대전화·디지털 카메라·MP3 플레이어·네비게이션 등의 제품에 적합하다.
1.2V 초 저전력으로 동작, 최대 400 Mbps 데이터 전송 속도를 구현한다. 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 1.6GB 가량의 데이터를 처리한다. 이 제품은 SDR/DDR, x16/x32와 같은 다양한 방식 지원이 가능하고, 탑재되는 기기 규격에 맞춰 변경사용이 가능한 ‘원 칩 솔루션’이다.
다양한 성능을 갖춘 이 제품은 모바일 인터넷 디바이스(MID)를 비롯한 울트라 모바일 PC(UMPC) 등의 차세대 애플리케이션을 지원한다.
하이닉스 측은 “지난 2006년 12월 세계 최고속 512Mb 모바일 D램 개발을 시작으로 올 상반기 66나노 1Gb 모바일 D램과 최고속 1Gb LPDDR2 등 고부가가치 제품인 모바일 D램 제품 생산의 비중을 늘려 왔다”며 “현재 약 11%인 모바일 D램 시장 점유율을 연말 20%로 확대한다고 말했다.
시장 조사기관 아이서플라이 보고서에 따르면 모바일 D램 시장은 2012년까지 연평균 14.4%씩 성장할 것으로 전망했다. 휴대폰의 모바일 D램 채용률 또한 지난해 30% 에서 2012년 83%까지 높아질 것으로 봤다.
안수민기자 smahn@etnews.co.kr
