삼성전자, 56나노 2기가 DDR3램 `인텔 인증` 획득

　삼성전자는 최근 양산에 들어간 56 나노 2Gb DDR3 D램 제품에 대해 업계 최초로 인텔 인증을 획득했다고 18일 밝혔다. 이번 인증 제품은 2Gb DDR3 D램 단품(x8) 및 PC용 4GB UDIMM (Unbuffered DIMM) 모듈 제품이다.

이 회사는 서버용 8GB·16GB RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module) 등 D램 모듈 9종도 평가 중이어서 내년 초엔 56나노 2Gb·DDR3 모든 제품에 대한 인증이 완료될 것으로 기대했다.

삼성전자 관계자는 “56나노 2Gb DDR3 D램 제품의 인텔 인증은 자사가 유일하다”며 “이는 D램 업체 중 가장 앞선 것으로, 기술의 우수성과 제품력의 우위를 확실하게 보여 주는 것”이라고 말했다. 삼성전자는 “공식 인증으로 노트북 및 서버 시장에서 2기가 DDR3 D램 제품은 안정적 채용 기반을 확보하였으며, 본격적인 수요 증가가 예상된다”고 덧붙였다.

56나노 2Gb DDR3는 삼성이 지난해 개발한 60나노 2Gb DDR2 D램 대비 약 1.6배 빠른 1.333Gbps(1,333Mbps)의 속도를 구현한다. 단품 칩의 크기가 작아져 생산 효율도 기존 대비 60% 이상 향상됐다. 또한 1Gb DDR3 단품을 탑재한 모듈에 비해 D램 단품 개수를 반으로 구성, 40% 이상 전력을 절감할 수 있다. 시스템의 발열량을 크게 줄였다.

안수민기자 smahn@etnews.co.kr