삼성전자, 50나노급 2기가 DDR3 인텔 인증 획득

삼성전자가 50나노급 2기가비트(Gb: Giga bit) DDR3 D램 제품에 대해 업계 최초로 인텔 인증을 획득했다고 18일 발표했다.

이번에 인증된 제품은 2기가비트(Gb) DDR3 D램 단품(x8) 및 PC용 4기가바이트(GB: Giga Byte) UDIMM (Unbuffered DIMM) 모듈 제품이다.

또한 서버용 8기가바이트(GB)/16기가바이트(GB) RDIMM 등 모듈 9종도 현재 평가 중으로, 내년 초에 50나노 2기가비트(Gb) DDR3 全제품의 인증이 완료될 예정이다.

50나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품의 인텔 인증은 삼성전자가 유일하며, 이는 D램 업체 중 가장 앞선 것이다.

50나노급 2기가비트 DDR3는 `07년 삼성전자가 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램 대비 약 1.6배 빠른 1.333Gbps(1,333Mbps)의 속도를 구현하고, 단품 칩의 크기가 작아져 생산 효율도 기존 대비 60% 이상 향상됐다.

또한 1기가비트 DDR3 단품을 탑재한 모듈에 비해 D램 단품의 개수를 반으로 구성할 수 있기 때문에 40% 이상 전력을 절감할 수 있고, 그에 따라 시스템 작동 시 발열량이 크게 줄어 신뢰성이 크게 향상된다.

한편, 기존 2기가비트 DDR2 D램 단품의 경우 칩 사이즈가 커서 패키지 적층(DDP: Double Die Package) 기술을 적용하여야만 고용량 모듈 제작이 가능했다.

이에 비해 2기가비트 DDR3 D램은 DDR2 D램 대비 크기가 대폭 축소되어 별도의 적층 기술 없이 8GB RDIMM, 4GB SODIMM/UDIMM 제품 양산이 가능해진 최초의 제품이다. 이에 따라 고용량 메모리의 시장 확대를 위한 원가 경쟁력도 강화됐다.

이번 공식 인증으로 노트북 및 서버 시장에서 2기가 DDR3 D램 제품은 안정적 채용 기반을 확보하였으며, 본격적인 수요 증가가 예상된다.

앞으로도 삼성은 고용량/고성능 제품을 선행 출시함으로써 D램 시장을 확대하고, 시장 선점을 통해 경쟁 우위를 지속 유지해 나갈 계획이다.

전자신문인터넷 조정형기자 jenie@etnews.co.kr