후지쯔, 차세대 불휘발성 메모리 신물질 개발

　후지쯔연구소와 도쿄공업대학이 차세대 비휘발성 메모리(FRAM) 제조용 신물질을 개발했다.

　FRAM은 소비전력이 낮고 데이터 고속입력이 가능한 차세대 메모리로, 제조과정에 티탄산지르콘산연(PZT) 류의 강유전체를 핵심재료로 사용해왔지만 130나노미터(nm) 이상의 초미세 제조공정에서는 데이터 기억에 필요한 전하량을 얻을 수 없어 양산의 걸림돌이 돼왔다.

　이를 대체할 수 있는 물질로 초미세 공정에 적용 가능한 비스머스페라이트(BFO)가 PZT의 대체재로 주목받고 있지만 PZT와 비교해 기록회수가 낮고 리크 전류가 커 실용화엔 한계가 있었다.

　이번에 개발된 신물질은 비스머스 성분의 일부를 사마리움에 옮겨놓는 것으로, 데이터 기록에 열화를 억제하는 기술과 철성분을 크롬과 결합한 겔 용액을 이용해 BFO를 결정화해 리크 전력을 크게 낮췄다. 또 1000억회의 기록 동작 보장은 물론 리크전류를 PZT급으로 낮췄다는 게 개발진의 설명이다.

　최정훈기자@전자신문, jhchoi@