한국전자통신연구원(ETRI) 이효영 박사 연구팀은 차세대 핵심기술로 주목받고 있는 분자 메모리소자 소재 개발에 필수적인 자기조립 단분자 소자의 스위칭 현상을 규명했다고 10일 밝혔다.
이 박사팀은 고진공 주사형 터널링 현미경(STM)을 이용해 유기금속 단일분자의 전류 스위칭 시작 메커니즘을 밝혀냈다. 유기분자의 스위칭 및 메모리 특성은 그동안 액체 상태에서 간접적인 방법으로 측정됐으나 이를 분자 메모리 소자에 적용하기 위해서는 고체 상태에서 스위칭 현상을 밝혀내는 것이 필요하다. 이 박사는 고체상 소자에 직접 적용할 수 있는 기술로 고체상에서 단일 분자의 전기적 특징을 측정, 액체 상에서 나타난 유기분자의 산화 및 환원 전류 흐름 현상과 일치하는 스위칭 시작 메커니즘을 확인했다.
연구팀은 현재 단일 분자 소자의 전류 스위칭 현상 규명을 통해 메모리 특성 증가를 위한 분자 소재 개발과 단일분자 층 및 분자 막 다층 구조 및 크로스링킹(Cross-linking) 구조를 이용한 비활성 분자 메모리 소자 제작에 박차를 가하고 있다.
한편 이 연구 결과는 최근 화학 분야 권위지 ‘미국화학회저널(Journal of the American Chemical Society)’에 게재됐으며 분자메모리 소재 및 소자 개발에 큰 기여를 할 것으로 기대를 모으고 있다.
권상희기자@전자신문, shkwon@
