삼성전자, 낸드플래시 증산 나선다

삼성전자가 당초 계획과 달리 낸드플래시 증산에 나선다. 이에 따라 삼성전자의 낸드 생산비중은 현재 40%대 초반에서 연말에는 50%에 이를 것으로 예상된다.

　1일 관련업계에 따르면 삼성전자는 D램·낸드 혼용 300㎜ 팹(버퍼팹)에서 D램을 증산하려던 계획을 취소하고 낸드 생산비중을 그대로 유지하기로 했다. 또 D램·낸드 혼용 200㎜ 팹(버퍼팹)인 9라인에서 낸드플래시 생산을 순차적으로 확대, 연말에는 월 4만장가량까지 늘릴 예정이다. 낸드플래시 전용 300㎜ 팹인 14라인의 생산능력도 추가로 확충하기로 했다.

　삼성전자는 이 같은 계획이 마무리되는 연말에는 총 낸드플래시 생산규모가 월 55만장(200㎜웨이퍼 기준)에 달해 낸드 비중이 약 50%로 확대될 것으로 예상했다.

　삼성전자가 소극적이었던 낸드플래시 증산에 나서는 것은 D램보다 낸드의 이익률이 높고, 낸드플래시 가격이 떨어지면서 수요가 확대되기 시작했기 때문으로 풀이된다. 특히 당초 3분기 말에서 4분기 초로 예정했던 미국 오스틴공장의 제2 팹(300㎜) 본격 가동시기가 1분기 정도 늦어지면서 기존 공장을 활용한 낸드 증설의 필요성이 커진 것도 원인으로 분석된다.

　삼성전자에 앞서 하이닉스반도체도 자사 주력라인인 이천 300㎜ 팹(M10)을 낸드·D램 혼용 버퍼팹으로 활용한다는 계획 아래, 연말까지 M10 캐파의 40%를 낸드플래시 생산으로 전환한다고 발표했다. 이에 따라 연말 하이닉스반도체 전체 생산량 가운데 낸드플래시 비중은 40%대에 육박할 것으로 예상된다.

　 심규호기자@전자신문, khsim@