램트론, 기억용량 4Mb F램 올 가을 양산

　미국 반도체 업체인 램트론이 기억용량 4Mb에 달하는 강유전체 메모리(F램)를 개발, 올 가을부터 양산한다고 19일 니혼게이자이신문이 보도했다.

　보도에 따르면 램트론은 지난 1995년 최초로 F램을 개발한데 이어 현재 상용화한 F램보다 기억용량이 무려 4배나 큰 4Mb 제품을 개발했다.

　F램이란 0과 1을 구분하는 전하를 저장하는 충전기의 재료를 자연상태에서 전기편극을 갖는 강유전체로 사용하는 메모리로 그동안 대용량화 문제에 봉착하면서 상용화에 어려움을 겪어왔다.

　이번에 개발한 F램은 전원을 끄더라도 데이터를 보존할 수 있고 100조회의 입력이 가능해 카내비게이션시스템, 사무기기, 산업기기 등에 적용이 기대된다고 회사 측은 밝혔다.

　이 회사는 지금까지 1Mb 이하 제품을 개발해 후지쯔의 이와테공장에 생산을 위탁해 왔다. 회로선폭 0.5㎛ 내지는 0.35㎛ 제조 라인을 사용했지만 신제품은 텍사스인스트루먼츠(TI) 미국 공장의 선폭 0.13㎛ 라인에서 제조된다.

명승욱기자@전자신문, swmay@