인텔이 소형 45 나노미터 트랜지스터가 탑재된 프로세스 시제품을 생산했다.
27일(현지시각) AP 등 주요 외신들은 인텔은 에너지 효율이 높은 차세대 트랜지스터 기술을 개발했으며, 이로 인해 멀티 코어 컴퓨팅 분야 발전 가속화를 가능하게 했다고 보도했다.
인텔의 45나노 공정 기술은 트랜지스터 집적도 또한 이전 세대 보다 약 두 배 정도 향상시켜주기 때문에 전체 트랜지스터 수를 증가시키거나 프로세서 크기를 축소시킬 수 있다. 45나노 트랜지스터들은 이전 세대보다 크기가 작기 때문에 스위치를 켜고 끄는데 더 적은 에너지를 소비하여 스위칭 파워를 약 30%까지 절감시킨다.
인텔 측은 트랜지스터의 뛰어난 기능 덕분에, 인텔은 칩과 PC의 디자인, 크기, 전력 소모량, 소음 및 비용 측면에서 좋지 않은 영향을 미치는 트랜지스터 전기 누출량은 감소시키면서 기록적인 속도를 구현하는 데스크톱, 노트북 및 서버 프로세서를 개발할 수 있게 됐다고 설명했다. 또한 새로운 트랜지스터는 첨단 기술 분야의 원칙 중에 하나인, 트랜지스터 수가 매 2년 마다 두 배로 증가한다는 무어의 법칙이 향후 10년 동안에도 계속 적용될 수 있도록 가능케 하는 것으로 알려졌다.
인텔의 공동 창업자인 고든 무어는 “하이케이 및 메탈 소재의 적용은 1960년대 후반 폴리실리콘 게이트 MOS 트랜지스터가 출시된 이래 이뤄진 트랜지스터 기술 부문의 여러 변화 중 가장 괄목할 만한 일”이라고 말했다.
한편 IBM도 내년 1분기부터 일부 칩의 트랜지스터에 메탈 게이트를 사용할 계획이라고 밝혔다. IBM 측은 “10년간의 노력 끝에 트랜지스터에 사용될 새로운 물질을 개발했다”면서도 새로 개발한 물질이 무엇인지에 대해서는 공개하지 않았다.
강병준기자@전자신문 bjkang@etnews.co.kr
