IBM, 플래시·HDD 대체 새 메모리 공개

　IBM이 이끄는 미국·독일·대만 연합군이 플래시메모리나 HDD를 대체할 차세대 P램(Phase-change Random Access Memory) 소자를 개발했다.

　실리콘스트래티지스·블룸버그·AFP·PC월드 등 외신은 11일 미 IBM과 대만 매크로닉스 인터내셔널, 독일 키몬다 3개 업체가 공동 연구를 통해 기존 플래시메모리보다 속도가 500배 빠르면서도 전력 소모량은 절반인 P램 제품 ‘게르마늄 안티몬(GeSb)을 이용한 초박막 상변화 브리지 메모리’ 개발에 성공했다고 일제히 보도했다.

　이 차세대 P램은 회로 크기가 3×20㎚로 플래시 칩보다 훨씬 작으면서 데이타 용량은 크기 때문에 MP3플레이어, 디지털카메라 등 소형 디지털기기의 무게 부담을 줄일 수 있다. 비휘발성 메모리(전원이 꺼져도 저장된 내용이 보존되는 성질)라는 점은 플래시메모리와 같지만 플래시메모리가 현재 기술로는 소자 크기를 45나노 노드 이하로 줄이는 데 한계가 있는 반면, 차세대 P램은 최소 22나노 노드까지 구현할 수 있다고 PC월드는 전했다. 또 플래시메모리보다 내구성이 높아 최대 10만번까지 데이터를 지우고 다시 쓸 수 있다.

　IBM 등은 미 캘리포니아 새너제이 실리콘밸리에 있는 IBM 알마덴연구소에서 P램의 핵심 소재인 게르마늄 안티몬 복합 반도체 합금을 개발하고 프로토타입을 완성한 상태며 오는 2015년 상용 제품 양산을 목표로 하고 있다.

　IBM의 스파이크 나라얀 나노스케일 과학 분야 책임자는 “이 차세대 P램은 플래시메모리 칩으로 할 수 없는 많은 것을 가능하게 하며 앞으로 디스크를 대체하게 될 것”이라고 말했다.

　IBM은 이번 주 샌프란시스코에서 열리는 ‘2006 국제 전자기기 회의(IEDM)’에서 차세대 P램을 공개할 예정이다.

　조윤아기자@전자신문, forange@etnews.co.kr