인텔, 65나노노어 플래시 MLC `양산 시작할 것`

인텔(www.intel.com)이 업계 최초로 65nm 1기가비트 모놀리식 휴대폰 부품을 포함한 65나노 노어 플래시 멀티 레벨 셀 제품군을 생산할 것이라고 밝혔다.

인텔은 서울 삼성동 코엑스에서 개최 중인 IDF 서울 행사를 통해 이들 제품을 공식 발표했다. 이들 제품군은 인텔 스트라타 플래시 셀룰러 메모리 아키텍처를 기반으로 하며 대용량 90나노 기반 플래시 칩, 드롭인 호환성을 갖추고 있어 휴대폰 제조사의 작업 공정 전환 작업을 용이하게 해준다.

인텔은 1Gb 싱글 칩 MLC 노어 플래시가 고화소 카메라나 비디오 촹영, 고속 데이터 전송 능력을 갖춘 멀티미디어 휴대폰에 쓰일 목적으로 개발된 것인 만큼 향후 출시될 차세대 휴대폰의 기능을 충분히 지원한다고 밝혔다.

플래시 제품 그룹을 총괄하는 다린 빌러벡 부사장은 "1기가비트 밀도의 제품은 멀티미디어 파일의 저장 능력을 거의 두 배로 확장하고, 초박형의 전화기 설계를 가능하게 한다"면서 인텔이 65나노 M18 제품군을 내년에는 512Mb, 256Mb, 128Mb 밀도를 지원할 수 있도록 로드맵을 구성하고 있다고 설명했다.

65나노 노어 MLC 부품은 133MHz에 이르는 빠른 읽기 능력과 초당 1MB의 쓰기 속도로 응답시간을 단축하고 400만 화소 카메라와 MPEG-4 비디오에 적합한 저장 능력을 구현한다. 65나노 버전의 읽기 속도는 이전보다 2배 가량 빨라진 것. 그 밖에 전력 소모량을 줄이고 1.8볼트 운영, 전력 강하 모드 등을 통해 배터리 수명도 늘렸다.

이번 제품 개발은 인텔과 ST마이크로일렉트로닉스의 휴대폰 메모리 아키텍처 협력을 통해 이뤄진 것이다. 양사는 휴대폰 제조사에게 표준 메모리 인터페이스와 이를 기반으로 한 공통 아키텍처를 활용하도록 유도해 시장 요구에 신속하게 대처하고 비용 절감과 개발 시간 단축을 실행할 수 있도록 할 계획이다.

전자신문인터넷 이석원 기자, lswcap@etnews.co.kr