르네사스·마쓰시타, 차세대 LSI 공동 개발키로

　르네사스테크놀로지와 마쓰시타전기산업이 2008년 양산을 목표로 45㎚ 차세대 대규모집적회로(시스템LSI) 개발에 들어간다.

3일 니혼게이자이신문에 따르면 르네사스와 마쓰시타는 지금까지 선폭 65㎚ 시스템LSI 제조기술 개발 제휴를 확대해 최첨단 45㎚ 시스템LSI도 공동 개발키로 했다.

두 회사의 차세대 시스템LSI 개발 제휴로 일본의 차세대 시스템LSI 경쟁 구도는 ‘르네사스·마쓰시타 진영’과 ‘도시바·소니·NEC일렉트로닉스 진영’ 등 두 진영으로 갈리게 됐다.

르네사스와 마쓰시타는 효고현 이단시 르네사스 사무소에서 45㎚ LSI 제조 기술을 개발한다. 이를 위해 수백억엔 규모의 개발비도 각각 절반 씩 분담할 예정이다. 내년 중반 무렵까지 개발을 끝마치고 2008년부터는 양산에 착수할 계획이다.

45㎚ 시스템LSI 생산과 관련해서는 최근까지 각 반도체업체들이 공동 출자해 파운드리업체를 설립하는 방안이 유력했고 실제로 지난 1월 경제산업성 주도로 르네사스, 도시바 등이 출자한 사전 기획업체가 설립된 바 있지만 사업 수익성 문제로 지난 6월 아애 해산됐다.

이후 도시바와 NEC가 공동으로 45㎚ 공동 생산 방침을 내놓은데 이어 이번에 르네사스와 마쓰시타도 공동 개발 및 생산을 발표한 것이다.

명승욱기자@전자신문, swmay@