노어플래시 2, 3위 업체인 인텔과 ST마이크로가 잇달아 90나노 노어플래시메모리 제품군을 출시, 국내 휴대폰용 메모리시장 공략을 강화한다.
ST마이크로일렉트로닉스코리아(지사장 이영수)는 90나노 멀티 레벨 셀(MLC) 512Mb 노어 플래시메모리와 이 메모리를 채택한 복합칩(MCP)을 출시했다고 5일 밝혔다. 이에 앞서 인텔코리아(대표 이희성)도 90나노 MLC 256Mb·512Mb 노어플래시(모델명 M18)를 국내에 선보였다.
이들 제품은 ST마이크로와 인텔이 노어플래시메모리 분야에서 제휴해 개발한 첫 작품으로, 두 회사는 내부적으로 협력관계를 갖고 대용량 노어플래시를 공동 개발해 왔다. 앞으로 두 회사는 기가급 대용량 플래시메모리 개발에까지 공동 협력을 유지할 계획인 것으로 전해졌다.
특히 두 회사는 다양한 형태의 MCP로 노어플래시솔루션을 확대하고 있다. 실제로 ST마이크로는 512Mb와 슈도S램·로파워 싱크로너스 D램 등을 원칩화한 세 종류의 MCP 제품군도 발표했다.
업계 한 관계자는 “인텔과 ST마이크로가 노어플래시 분야에서 협력하는 이유는 갈수록 위축되는 휴대폰 시장에서의 노어플래시 위상을 높이기 위한 고육지책”이라며 “특히 인텔은 마이크론과의 제휴를 통해 낸드플래시시장 진출도 선언한 상황이어서 향후 플래시메모리를 둘러싼 업계 간 합종연횡에 관심이 집중되고 있다”고 말했다.
한편 세계 노어플래시 시장에서는 지난해 기준으로 스팬션 점유율 약 25%로 1위를 유지하고 있으며, 인텔(약 24%)과 ST마이크로(약 13%)가 2·3위를 차지하고 있다.
심규호기자@전자신문, khsim@
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