[IT키워드]M램

　M램은 자기저항식 랜덤 액세스 메모리(Magneto-resistive Random Access Memory)를 말한다. D램 등 종전의 기억소자가 전기를 축적해 정보를 기억하는 것과는 달리 자기를 이용해 정보를 기억하는 새로운 형태의 기억소자다. 반도체 내부의 자기 메모리 셀의 자화 방향에 따라 0 또는 1의 데이터 비트가 기록된다. 즉 기존 메모리의 전기신호를 자기신호로 바꾼 것이다. 기존의 D램을 능가하는 성능과 더불어 전원을 차단해도 기억한 정보가 지워지지 않는 비휘발성 특성으로 차세대 메모리로 크게 주목받고 있다.

　이 기술의 핵심은 기존 비휘발성 메모리에 비해 빠른 속도(수년 내에 10나노초 정도 가능)와 초소형화의 가능성이다. 특히 M램은 웹사이트에서 데이터의 다운로드 속도를 크게 향상시킬 수 있으며 메모리와 프로세스 칩 사이의 데이터 교환 병목현상으로 인한 속도 제한을 제거할 수 있는 장점을 갖고 있다. 또 컴퓨터에 내장되면 부팅과정 없이 전원을 켜는 즉시 사용 가능하다. IBM은 2005년부터 256메가비트 M램을 채택할 예정이며, 모토로라는 2006년에 90나노 공정을 적용한 M램을 각각 상용화할 예정이다.