LG실트론, 스트레인드실리콘 웨이퍼 양산기술 개발

LG실트론(대표 박영용 http://www.lgsiltron.co.kr)은 고속 반도체 생산을 가능하게 하는 스트레인드 실리콘(strained Si) 웨이퍼의 양산 기술을 개발했다고 31일 밝혔다.

　스트레인드 실리콘 웨이퍼란 웨이퍼 상단 에피층의 결정 모양을 변경, 전자 이동을 빠르게 한 것으로 반도체 소자의 작동 속도를 높이고 전력 소모를 줄일 수 있다. 제작에 시간이 오래 걸려 생산 효율이 떨어지는 것이 문제였다.

　LG실트론은 미국 앰버웨이브와 제휴, 기존 방식보다 스트레인드 실리콘 웨이퍼의 생산 속도를 4배 이상 빠르게 하는 기술을 8인치 웨이퍼 생산 공정에 적용하는데 성공했다.

　이에 따라 스트레인드 웨이퍼의 대량 생산이 가능해지고 SOI(Silicon on Insulator) 기술과 결합, 동작 속도와 전력 소비율이 향상된 반도체 소자 개발의 기틀이 마련됐다고 회사측은 설명했다. 또 저전력·고기능이 요구되는 SoC(system on chip) 개발에도 촉매로 작용할 전망이다.

　LG실트론은 현재 주요 반도체 소자 업체와 스트레인드 실리콘 웨이퍼를 이용한 CMOS 소자를 개발 중이며 향후 SSOI(Strained Si on Insulator) 웨이퍼 및 12인치 공정용 양산 기술도 개발할 계획이다.

　이 회사 이동건 박사는 “반도체 고속화와 전력 소모 최소화를 위해선 회로 선폭 축소와 함께 소재 혁신이 중요하다”며 “이번 기술 개발로 반도체 업체가 요구하는 고성능 스트레인드 실리콘 웨이퍼의 양산 공급이 가능해졌다”고 말했다.　

한세희기자@전자신문, hahn@