삼성전자가 현존하는 차세대메모리 가운데 최대 용량인 256Mb급 P램(상변화메모리) 개발에 성공했다. 특히 신제품은 1년 이내 상용화가 가능할 전망이어서 비슷한 용량에 머물고 있는 노어플래시 메모리를 급속히 대체할 것으로 기대된다.
19일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 회로를 형성해 정상 작동 여부까지를 확인한 동작샘플(워킹다이) 단계의 256Mb급 대용량 P램 시제품을 선보였다. 삼성전자는 P램 용량 확대의 관건인 입력전류를 기존의 1m∼2㎃에서 0.4㎃까지 낮춤으로써 대용량화에 성공했다.
업계 한 관계자는 “256Mb급 P램은 실제 모바일기기에 채택해 상용 실험을 할 수 있는 용량이기 때문에 휴대폰용 메모리시장에 일대 혁신을 가져오는 중요한 개발 성과”라고 평가했다.
황창규 삼성전자 반도체총괄사장은 “현재 발표를 미루고 있으나 P램 분야에서 획기적인 제품개발 성과를 거뒀다”며 “P램은 노어플래시를 급속히 대체해 나갈 것”이라고 말했다.
차세대메모리 중 F램(강유전체메모리)·M램(강자성메모리) 등이 시제품 단계에서도 16Mb 벽을 넘지 못했던 점을 감안할 때 삼성전자의 이번 개발은 차세대메모리 주도권 경쟁에 큰 영향을 미칠 전망이다.
특히 256Mb 용량은 현재 휴대폰에 널리 사용되는 노어플래시 용량과 같은 수준이어서, 이 제품이 상용 생산되면 기존 휴대폰용 노어플래시와 한판 승부가 예상된다.
현재 휴대폰용 메모리시장에서는 노어플래시와 낸드플래시가 경쟁을 벌이고 있다. P램은 속도가 느린 낸드플래시의 약점과 대용량화가 힘든 노어플래시의 약점을 모두 극복한 차세대 메모리로, 특히 이번에 개발된 256Mb P램은 용량에 한계가 있는 노어플래시를 대체하면서 급속히 상용화될 것으로 기대된다.
이에 따라 휴대폰용 메모리 시장은 내년 이후 Mb급 저용량에서는 노어와 P램이 경쟁하고, Gb급 대용량에서는 낸드플래시가 독주하는 시장구도가 예상된다.
심규호기자@전자신문, khsim@
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