ETRI, 차세대 PRAM소자 개발

　기존의 상변화 재료를 사용한 소자보다 속도를 4배 이상 높이고 소비전력을 10분의 1로 대폭 줄일 수 있는 차세대 비휘발성 상변화 메모리(P램) 소자가 개발됐다.

　한국전자통신연구원(ETRI·원장 임주환) 기반기술연구소(소장 강석열)의 기능성전자소자팀(팀장 유병곤)은 연세대 최세영 교수팀과 공동으로 차세대 P램 소자를 개발했다고 13일 밝혔다.

　연구진은, 기존의 게르마늄-안티몬-텔레륨 상변화 재료를 적용한 P램소자의 경우 15㎃의 전력을 소모하는데 반해 같은 크기의 소자에 ETRI가 개발한 재료를 적용했을때는 1.6㎃의 전류만으로도 작동됐다고 설명했다.

　P램은 소자의 집적화에 유리한 특성을 가지고 있어 최근 급속하게 성장하고 있는 개인 휴대 단말 등 모바일 기기용 비휘발성 메모리 모듈을 빠르게 대체할 기술로 평가받고 있다. 연구진은 국내 특허 10건, 국제 특허 2건을 출원했다.

　유병곤 팀장은 “기존 재료로 고속·저소비 전력 특성을 겸비한 Gb급 P램을 구현하는데는 한계가 있다"며“현재 256Mb급 시작품 연구를 진행 중인 삼성전자 등 국내외 관련 연구 기관의 기술 개발에 크게 기여할 수 있을 것”이라고 말했다.

　 대전=박희범기자@전자신문, hbpark@