50나노 16기가 낸드플래시 메모리 첫 개발
삼성전자가 내년에는 혁명적인 반도체 신기술로 불리는 32기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리를 내놓는다.
황창규 삼성전자 반도체 총괄사장은 12일 신라호텔에서 기자회견을 열고 “세계 최초로 50나노 공정의 16Gb 낸드플래시를 개발하는 데 성공했다”고 밝히고 “내년에는 전혀 새로운 컨셉트로 16기가의 2배인 32기가 플래시메모리를 개발할 것”이라고 말했다.
삼성전자의 16Gb 낸드플래시는 50나노(1나노는 10억분의1ｍ), 즉 머리카락 두께 2000분의 1에 해당하는 선폭으로 손톱만 한 칩 안에 164억개의 트랜지스터를 집적한 용량이다. 16기가 낸드플래시를 이용하면 최대 32기가바이트(GB) 메모리카드 제작이 가능하다. 이 용량은 영화 20편 이상의 동영상(32시간 분량)이나 MP3 음악파일 기준으로 8000곡(670시간), 일간지 200년치 분량의 정보를 저장할 수 있는 것이다.
낸드플래시는 모바일 솔루션의 핵심 반도체로 급부상하면서 글로벌업체들이 개발에 박차를 가하고 있지만, 이번 삼성전자의 16Gb 제품 개발은 경쟁업체와의 기술 격차를 6개월∼1년 이상 벌린 것으로 평가된다.
삼성전자는 이와 함께 △고용량·저전력의 플래시메모리와 모바일CPU 융합 칩 △플래시메모리와 MP3디코더 융합 칩 △플래시메모리와 카드·SIM컨트롤러 등 메모리와 시스템LSI가 융합된 신개념의 퓨전반도체 3종을 이날 발표했다.
황 사장은 “앞으로 퓨전반도체 시장 규모는 계속 커질 것이며 그 중심에 낸드플래시 메모리가 있다”며 내년에 선보일 혁신적인 32Gb 낸드플래시로 모바일 기반 퓨전반도체 시장을 주도해 나갈 것임을 강력히 시사했다.
이에 따라 삼성전자가 내년에 선보일 32Gb 낸드플래시 개발에 적용된 신기술에 세계의 이목이 집중되고 있다.
올해 휴대폰의 82% 이상에 복합 칩인 멀티칩패키징(MCP)이 탑재되고 있고, 원낸드·시스템 인 패지키(SiP) 등의 형태로 퓨전 메모리 시장은 폭발적으로 확대되고 있다.
한편 삼성전자는 이번 16Gb 낸드플래시 메모리 개발로 지난 2001년 100나노 기술을 처음으로 상용화한 데 이어 올해까지 5년 연속 세대별 나노기술을 세계 최초로 상용화하는 기록을 세웠다.
또 지난해 8기가 낸드플래시 개발에 이어 올해 16기가 낸드플래시를 개발함으로써 ‘1년6개월 만에 용량(집적도)이 2배로 늘어난다’는 ‘무어의 법칙’을 깨고 황 사장이 발표한 ‘메모리 신성장론’을 6년 연속 입증하는 데 성공했다.
‘황의 법칙’으로도 불리는 이 이론은 황 사장이 2002년 2월 세계 3대 반도체학회인 국제반도체학회(ISSCC) 총회 기조연설에서 발표한 것으로 ‘무어의 법칙’을 깨고 업계의 정설로 굳혀지고 있다.
심규호기자@전자신문, khsim@
