삼성, 80나노 2G DDR2 D램 생산 등에 1조원 추가 투자

　삼성전자가 1조원을 투자해 지난해 9월 개발한 80나노 2G DDR2 D램 생산을 위해 화성 13라인에 80나노 공정라인을 구축한다.

　삼성전자(대표 윤종용)는 D램 전용라인인 화성 13라인에 6038억원, 6-12라인에 3937억원 등 약 1조원을 투자해 생산능력 증강과 공정 업그레이드에 나선다고 10일 밝혔다.

　이번 투자로 화성 13라인은 생산능력이 300㎜ 웨이퍼 기준 월 2만5000장(작년 12월 기준)에서 4만∼4만5000장으로 확대된다. 특히 삼성전자는 이 라인에서 세계 최초로 개발한 최첨단 80나노 2G급 DDR2 D램을 생산할 계획이어서 이번 투자는 이를 위한 신규설비 도입에 쓰인다. 이에 따라 이 라인의 90나노 이하 비중은 지난해 말 5% 수준에서 올 2분기 20%선까지 올라서게 된다.

　이와 함께 이번 투자로 기존 6∼12라인은 1분기 중에 최하 0.11㎛ 이상급 첨단 공정으로 전환될 예정이어서 공정 업그레이드를 통한 생산량 확대가 기대된다. 삼성전자는 현재 6∼7라인은 플래시 전용으로, 9∼11라인과 13라인은 D램 전용으로, 8라인과 12라인은 D램·플래시 혼용라인으로 가동하고 있다.

심규호기자@전자신문, khsim@