8Gb 낸드 플래시 기술 등에 관심 집중

　‘내년 2월, 8Gb 대용량 낸드형 플래시메모리 기술에 세계의 이목이 집중된다.’

내년 2월 6일부터 10일까지 미국에서 열리는 ‘국제고체반도체회로학술회의(ISSCC) 2005’에서 메모리 분야를 필두로 17편의 한국 논문이 채택됐으며, 특히 정보통신부 진대제 장관이 기조연설을 맡게 됐다.

　삼성전자 전영현상무는 1일 서울 소공동 롯데호텔에서 개최된 사전설명회에서 이같이 밝혔다.

‘나노IC시대 개막(Entering the Nanoelectronic Integrated-Circuit Era)’이라는 주제로 열리는 ISSCC 2005에는 △삼성전자가 이미 공식 발표한 8Gb 낸드형 플래시메모리 설계기술에 대한 논문과 △도시바가 개발한 8Gb 기술 논문 △삼성전자가 64M의 벽을 깨면서 세계 최초로 개발에 성공한 256M SRAM에 대한 기술 논문 △17억개의 트랜지스터가 들어간 인텔 아이테늄(개발명)에 대한 논문 △신경과 전자회로의 연결 기술 논문 △RF, 통신 관련 신기술 논문 등이 채택됐다.

　IEEE에서 매년 개최하는 국제 반도체 회로 학술회의(ISSCC : International Solid-State Circuits Conference)는 반도체 집적회로 및 시스템 집적(SoC 등) 분야에서 국제적으로 가장 권위 있는 학회로, 지난 2002년 황창규 삼성전자 반도체총괄사장이 ‘메모리신성장론’을 발표해 세계의 주목을 받은 바 있다.

　 심규호기자@전자신문, khsim@