중국 파운드리업체 그레이스 미국서 0.13미크론 제조기술 이전

　중국 파운드리 업체 그레이스반도체가 한 미국 업체로부터 0.13미크론 제조 공정 기술을 이전받을 계획이라고 EE타임스가 27일(현지시각) 보도했다.

이제까지 그레이스는 0.15∼0.5미크론까지의 공정 기술을 일본 협력업체에 의지해 왔다. 이 회사 다이엘 왕 부사장은 “연말까지 새로운 업체와의 협력을 통해 개발 및 테스트를 시작하고 내년 하반기 0.13미크론 공정기술로 제조한 칩을 출하할 예정”이라고 밝혔다.

왕 부사장은 또 이 회사와 함께 2005년 90나노 공정 기술을 공동 개발키로 했다고 덧붙였다. 그레이스 측은 이 협력업체의 이름을 밝히지는 않았지만, 업계에서는 프리스케일반도체, LSI로직 등이 유력하다고 보고 있다.

그레이스의 0.13미크론 및 90나노 공정으로의 전환은 경쟁사인 SMIC의 행보에 영향을 받은 것으로 보인다. SMIC는 TI와 0.13미크론 생산을, D램 생산을 위해서는 인피니온과 0.11미크론 공정 기술을 개발하고 있다.

그레이스는 이제 기업공개(IPO)를 다음 과제로 남겨두고 있다. 웨이퍼 생산량이 월 3만5000개를 넘으면 내년 상반기 상장해 자금을 모을 수 있게 된다. 이 회사는 홍콩이나 나스닥에서 상장을 통해 7억∼10억달러를 조달할 계획이다.

전경원기자@전자신문, kwjun@