삼성전자 스마트카드용 F램, 세계무대 첫선

　삼성전자가 스마트카드용 강유전체메모리(F램)를 개발완료하고 다음달 국제전시회에 출품한다.

　이로써 삼성전자가 일본·미국 등이 주도적으로 개발해 온 F램분야에서도 주도적인 위치를 확보할 수 있을지에 관심이 쏠리고 있다.

　27일 관련업계에 따르면 삼성전자(대표 윤종용)는 F램 기술개발과 시제품 제작및 스마트카드 탑재까지 완료한 것으로 알려졌다.

　신제품은 0.18미크론 미세가공기술이 채택됐으며 공급전압은 1.62∼5.5V, 입출력 사이클시간은 100ns(10억분의 1초)다. 또 4층 배선을 사용해 칩 크기를 15.5㎟로 줄였으며, 제어계통의 논리회로와 함께 데이터저장용도의 128kB F램, 캐시메모리 8kB F램, 코드저장용도 384kB 마스크 롬을 탑재하고 있다.

　F램 탑재 스마트카드는 EEP롬(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)이나 플래시메모리 탑재 제품에 비해 처리속도가 빠르고 입출력 가능 횟수가 획기적으로 높은 것이 특징이다.

　특히 F램은 기존 D램·S램·플래시메모리의 장점인 △고집적 △초고속 △비휘발성을 모두 구현하면서도 단점으로 꼽히던 속도나 내구성 문제를 극복할 수 있는 차세대메모리로 각광받고 있다.

　시장조사기관인 나노마켓LC에 따르면 F램 시장은 올해 9500만달러에서 2008년 13억달러, 2011년에는 45억달러로 성장할 전망이다.

　심규호기자@전자신문, khsim@