2004 VLSI 심포지엄

마이크론테크놀로지와 인텔 등 주요 반도체 업체들이 지난 15일부터 미국 하와이에서 열리고 있는 ‘2004 VLSI 심포지엄’에서 신기술을 선보였다.

실래콘스트래티지스에 따르면 마이크론테크놀로지는 심포지엄 연설에서 2003년 처음 도입한 6F(프로세스에서 사용되는 석판인쇄 가운데 가장 작은 인쇄 크기) 셀 디자인의 축전기를 결합한 D램 아키텍처를 소개했다. 이 회사 프로세스 통합 매니저인 프레드 피시번은 “6F 셀 크기가 대부분의 D램시장에서 사용되는 8F 디자인보다 25% 더 작다”며 “이번 아키텍처는 DDR2와 DDR3를 지원하며 시장에 도입될 대량의 제품 기기에 적합하다”고 말했다.

인텔도 이번 심포지엄에서 구리를 이용해 칩 사이의 폭을 최소 15나노미터(nm) 노드까지 줄일 수 있는 기술을 선보였다. 인텔측은 이를 위해 광 커넥트와 CMOS의 합성에 기반한 고속 신호표시 기술에 대한 자료를 제시했다.

한편 VLSI리서치는 반도체 장비 산업이 5월에 다소 주춤했으나 올해 전반적인 사업은 여전히 과열될 것으로 보인다며 ,올해 반도체 장비 시장의 성장률을 66.5%에 달할 것이라고 전망했다.

<이병희기자 shake@etnews.co.kr>