난테로, 탄소나노튜브기반 N램 시험생산

 미국의 나노벤처기업 난테로와 LSI 로직사는 세계 최초로 탄소나노튜브를 이용한 메모리칩(N램)을 실제 반도체 라인에 적용하는 데 성공했다고 뉴욕타임스가 7일 보도했다.

 고밀도 메모리칩인 N램은 전원을 꺼도 정보가 남아있는 비휘발성이며 기존 D램보다 훨씬 빠른 동작속도와 낮은 전력소모, 소형화면에서 유리한 것이 특징이다.

 LSI의 한 관계자는 N램 기술이 LSI 로직의 오레곤주 반도체 공장에 적용됐으며 특별한 문제가 없는 한, 내년부터 양산에 들어갈 계획이라고 밝혔다. 이는 탄소나노튜브가 반도체 산업에 적용되는 첫번째 사례이며 휴대폰과 노트북PC의 성능을 크게 향상시킬 것으로 기대된다고 회사 관계자는 덧붙였다.

 지난 91년 일본 NEC가 개발한 탄소나노튜브는 단층 탄소원자로 구성돼 있는 매우 강한 관상(冠狀)구조로, 강도와 내구성이 높으며 전기적으로는 반도체와 금속같은 도체의 특성을 오가기 때문에 차세대 전자소자로 각광받고 있다.

 <배일한기자 bailh@etnews.co.kr>


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