인텔, `high-k` 소재 개발 반도체 누전 크게 줄여

　세계최대 반도체업체 미국 인텔이 반도체 집적화의 최대 걸림돌이었던 회로내부의 누설전류를 지금보다 100배나 줄이는 신기술을 일본에서 6일 공식 발표했다고 C넷 등 외신이 보도했다.

　전문가들은 이 기술이 상용화될 경우 반도체의 발열량과 소비전력이 최소 지금의 절반 이하로 감소하고 컴퓨터 내부에 덩치 큰 냉각모듈을 장착할 이유도 사라져 각종 정보통신기기의 소형화에 획기적인 전기가 마련될 것으로 예상하고 있다.

　인텔의 대변인은 지난 30년간 반도체 내부의 누설전류를 차단하는 게이트 유전막소재로 사용됐던 산화실리콘(SiO2) 대신 ‘high-k’라는 신소재를 적용한 결과 누설전류량이 100배나 감소했다고 최근 발표한바 있다.

　인텔은 반도체분야 경쟁업체를 의식해 ‘high-k’의 자세한 성분은 밝히지 않았으나 이번 신소재 개발로 칩 1개에 집적되는 트랜지스터의 수가 18개월마다 두 배로 늘어난다는 무어의 법칙이 향후 10년간 더 지속될 수 있을 것이라고 밝혔다.

　이 회사는 또 ‘high-k’와 함께 적용될 새로운 금속성 트랜지스터 게이트 소재도 함께 개발 중이다. 회사관계자는 이 신기술에 기반한 반도체 양산은 오는 2007년경부터 시작될 것이라고 설명했다. 이미 90나노미터(㎚) 공정을 적용한 신형 펜티엄4와 프레스콧 CPU 양산에 들어간 인텔은 이번 신기술 개발로 65㎚와 45㎚급의 나노급 생산공정에서 유리한 위치에 올라설 전망이다.

　일부 전문가들은 세계 반도체업계가 누설전류 문제에 이렇다할 돌파구를 찾지 못하자 더 이상의 반도체 집적화는 물리적으로 어렵다는 기술전망을 내놓기도 했다.

　<배일한기자 bailh@etnews.co.kr>