日 Selete, 30nm 미세가공기술 개발해 65nm LSI 제조 기술 확립

　일본 반도체첨단테크놀로지(셀레트·Selete)가 30㎚ 미세가공기술 개발에 성공, 회로선폭 65㎚ 대규모집적회로(LSI) 제조기술을 확립했다.

　6일 니혼게이자이신문에 따르면 셀레트는 300㎜ 웨이퍼에서 30㎚ 수준의 고정밀 가공을 가능케 하는 데 성공했다. 이번 기술은 특히 300㎜ 웨이퍼에서 필요한 부분을 모두 30㎚로 가공할 수 있는 것이 특징. 이는 지금까지 300㎜ 웨이퍼의 한 부분밖에 30㎚ 가공을 할 수 없었던 기술의 벽을 넘어선 것이다.

　또 30㎚ 미세가공기술은 회로선폭 65㎚ LSI 제조에 빼놓을 수 없는 필수기술이어서 주목된다. 이는 셀레트에 참가하는 일본 반도체업체들이 회로선폭 65㎚ LSI 양산에서 한발 앞서가는 것을 의미하기 때문이다.

　신문은 “65㎚ LSI 제조를 위한 기술들은 이제 미세가공기술을 포함해 거의 갖춰졌다”고 평가했다. “단지 전압을 제어하는 심장부(게이트)에서 전류의 누출을 막기 위해 필요한 고유전율 절연막을 실용화시키는 작업이 남아있을 뿐이며 이를 위한 제조방식 개선을 추진 중”이라고 덧붙였다.

　이에 따라 일본 반도체업체들이 오는 2007년을 목표로 추진 중인 65㎚ LSI 양산화 계획이 한층 탄력을 받을 것으로 보인다.

　한편 셀레트는 도시바·마쓰시타·후지쯔 등 일본 반도체업체들이 참가해 65㎚ 세대의 회로 노광기술, 트랜지스터 기술을 연구·개발하는 ‘아스카’ 프로젝트 추진단체다. 일 반도체업체들은 셀레트가 개발한 기술을 바탕으로 LSI의 제품화에 나설 계획이다.

　<성호철기자 hcsung@etnews.co.kr>