하이닉스, 512M램 `DDR400인증` 획득

　하이닉스반도체(대표 우의제 http://www.hyni×.com)는 업계 처음으로 인텔로부터 고성능 메모리 반도체인 512메가 DDR SD램 단품 및 모듈에 대한 DDR400 제품인증을 획득했다고 17일 밝혔다.

　지난 2월 인텔로부터 256메가(32M×8) 단품 및 모듈에 대한 DDR400 제품인증을 받았던 하이닉스는 이번에 512메가(64M×8) DDR SD램 단품과 모듈을 모두 인텔의 테스트를 통과시킴으로써 초고속 DDR 제품에 대한 경쟁력을 한층 강화했다.

　하이닉스는 인텔의 스프링데일 칩세트 출시 등에 따른 DDR400에 대한 공급부족 현상이 연말까지 지속될 것으로 보고 전체 D램 생산량의 80%를 차지하고 있는 DDR 제품 중에서 DDR400의 생산능력을 현재 60%에서 연말에는 90%까지 확대할 계획이다.

　하이닉스 관계자는 “향후 고부가가치 제품인 DDR400 및 DDR2 등 고성능 DDR 생산에 주력, 빠르게 성장하는 차세대 메모리 시장에서 선도적 지위를 강화할 방침”이라고 말했다.

　<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>