AMD, 최초로 차세대 핵심 트랜지스터 개발

　세계 2위의 CPU업체인 AMD가 기존 PMOS(P-channel Metal-Oxide Semiconductor)트랜지스터보다 최고 30% 빠른 고성능 트랜지스터를 개발했다고 2일 밝혔다.

　이번에 개발된 트랜지스터는 AMD의 독자기술인 FDSOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator)를 이용했으며 구체적인 성능은 오는 6월 일본 교토에서 열리는 VLSI 심포지엄에서 공개될 예정이다.

　AMD측은 이번 성과가 공정기술 로드맵에 새 이정표를 세운 것으로 미래의 마이크로프로세서 설계의 토대를 마련한 것으로 자평했다.

　AMD 컴퓨테이셔널 제품 그룹의 프레드 웨버 부사장은 “훌륭한 설계를 위해서는 우수한 툴과 소재를 확보하는 작업이 선행돼야 한다”며 “이번 연구 성과는 AMD가 최첨단 기능과 우수한 아키텍처를 제공하는 발판을 마련한 데 의의가 있다”고 말했다.

　<성호철기자 hcsung@etnews.co.kr>