모토로라, 4메가비트 차세대 반도체 개발

　미국 모토로라가 기존 플래시메모리를 이을 차세대 반도체로 일컬어지는 나노크리스털 플래시메모리를 개발하는 데 성공했다고 실리콘스트래티지스가 1일 보도했다.

　이에 따르면 모토로라는 텍사스주 오스틴에 있는 동부캠퍼스의 댄 노블센터에서 4Mb 용량의 나노크리스털 플래시메모리를 처음으로 시연해 보였다.

　나노크리스털 반도체는 현재의 실리콘디옥시드를 대체, 격자의 실리콘크리스털을 절연체로 사용하는 것으로 휴대폰·디지털카메라 등에 사용되는 플래시메모리의 후속 제품으로 평가받고 있다. 반도체 전문가들은 플래시메모리 수요가 급증하고 있지만 향후 수년 후에는 한정된 크기 내에서의 용량확보문제(scaling) 때문에 더이상 발전이 불가능할 것으로 보고 있다.

　시연 제품에 대해 조 모가브 모토로라 반도체 부사장은 “90나노 제조공정기술을 사용한 200㎜ 웨이퍼에 테스트 어레이를 구축했다”며 “4Mb 나노 플래시메모리를 우리가 처음으로 시연해 보임으로써 차세대 비휘발성메모리·임베디드시장 등에서 경쟁사보다 한발 앞서가는 계기를 만들게 됐다”고 주장했다.

　<방은주기자 ejbang@etnews.co.kr>