대용량 메모리가 필요한 3세대 휴대폰, 디지털카메라, USB저장장치 등의 보급이 확대되면서 플래시메모리 수요를 겨냥한 후발 반도체업체들의 보폭이 커지고 있다.
하이닉스반도체(대표 우의제·박상호)는 최근 낸드(NAND:데이터저장)형 플래시메모리를 개발, 주요 고객사를 상대로 시제품을 공급하는 등 삼성전자와 도시바가 주도하고 있는 이 시장에 참여했다. 하이닉스는 하반기에는 1Gb급 대용량 제품을 내놓고 이천 D램 라인 일부를 플래시메모리 라인으로 전환하는 등 생산능력을 확충할 계획이다.
하이닉스는 또 유럽계 ST마이크로일렉트로닉스와 기술제휴를 통해 노어(NOR:코드저장)형 제품과 차세대 F램 및 M램을 공동 개발해 휴대폰 시장에도 진출하기로 했다.
독일 인피니온(대표 율리히 슈마허)은 최근 이스라엘의 사이펀세미테크놀로지와 플래시메모리 합작사인 ‘인피니온테크놀로지스플래시’를 설립했다. 합작사는 인피니온의 플래시메모리사업부 형태로 운영되며 생산라인은 인피니온의 기존 200㎜ 및 300㎜ 웨이퍼 팹을 이용할 것으로 알려졌다. 특히 합작사는 사이펀의 플래시메모리 코어 기술 ‘엔롬(NROM)’을 기반으로 낸드형과 노어형을 접목시킨 애플리케이션 개발에 주력할 계획인 것으로 전해졌다.
인피니온은 올 하반기부터 256MB·512MB급 신제품을 자체 브랜드로 발표하고 플래시메모리가 탑재된 멀티미디어카드(MMC) 등도 개발, 직접 공급할 계획인 것으로 알려졌다.
업계 한 전문가는 “휴대형 정보기기의 확산으로 낸드 및 노어형 수요가 급증하고 있다”면서 “D램보다는 가격대가 높고 비교적 수익성이 좋은 플래시메모리 쪽으로 반도체업체들의 참여가 활발해질 것으로 전망된다”고 말했다.
<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr
정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>
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