삼성전자는 16일 서울 신라호텔에서 열린 메모리반도체 사업전략설명회에서 90나노 D램 생산기술 확보와 함께 2기가 NAND 플래시메모리의 시제품 생산에 성공했다고 발표했다. 황창규 사장이 90나노 회로선폭기술로 제작한 300㎜ 웨이퍼를 들어보이고 있다.
<정동수기자 dschung@etnews.co.kr>
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