메모리제조업계 저전력 D램 개발경쟁 `불꽃`

　주요 메모리제조업체들이 저전력 메모리로 눈을 돌리기 시작했다고 EE타임스가 보도했다.

　이에 따르면 삼성전자·하이닉스반도체·마이크론테크놀러지·인피니온테크놀러지 등은 저전력메모리시장에서 128Mb D램이 곧 64Mb D램을 제치고 주류 제품이 될 것으로 보고 3개월안에 256Mb D램의 대량생산에 나설 계획이다. 특히 삼성전자와 마이크론 등은 1.8V로 사용전압을 대폭 낮춘 차세대 저전력 D램을 올해안으로 선보일 방침이다.

　메모리업체들의 이같은 움직임은 PDA·디지털카메라·스마트폰·차세대이동전화단말기 등과 같은 소형정보가전의 수요가 큰 폭으로 증가하고 있어 저전력 메모리의 수요도 함께 늘어날 것으로 예상되는 데 따른 것이다. 소형전자제품은 저전력 메모리를 채택할 경우 사용시간을 대폭 늘릴 수 있다. 일례로 2.5V D램은 3.3V D램에 비해 전력소모가 50∼80%까지 줄어든다.

　그러나 업계에서는 삼성전자와 마이크론이 추진하는 1.8V D램이 상당한 난관에 부딪힐 것으로 보고 있다. 이는 1.8V D램이 기존 공정으로는 원활한 생산이 불가능하기 때문이다.

　이와 관련, 삼성전자의 D램 애플리케이션 담당 김영래 부장은 “올해 내놓는 1.8V D램은 성능이 다소 저하(같은 용량의 다른 D램에 비해)될 것”이라며 “0.12미크론 공정에서도 1.8V 메모리를 손쉽게 만들 수는 없다”고 설명했다. 그는 내년이나 2004년께 0.10미크론, 또는 그 이하의 공정이 가능해질 때쯤이면 완벽한 1.8V D램 생산이 가능할 것으로 보고 있다.

　올해말 1.8V D램 프로토타입을 내놓을 마이크론의 이사인 파울 들러고시도 “차세대 저전력 D램은 기본적으로 다른 공정을 사용할 것”이라고 설명했다.

　삼성과 마이크론 양사는 차세대 저전력 D램의 자세한 아키텍처에 대해 밝히지는 않았지만 대역폭 증가를 위해 DDR(Double Data Rate) 표준을 적용하면 효과적이라는 점을 지적했다.

　한편 하이닉스는 현재의 저전력 메모리보다 사용전력을 대폭 낮추는 것은 불가능하다는 입장이다. 하이닉스의 최주선 이사는 “D램의 사용전력을 낮추는 데는 한계가 있다”며 “전력을 줄일 수 있는 모든 방법을 살펴봤으며 추가적인 개선은 불가능할 것으로 본다”고 밝혔다.

　<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>