D램구조 적용 S램 개발

　D램 셀 구조를 적용해 집적도를 높이면서도 저전력·저비용을 실현한 신개념의 S램이 국내 벤처기업에 의해 상용화된다.

　메모리 반도체 벤처기업 실리콘세븐(대표 양우드워드 http://www.silicon7.com)은 1트랜지스터 구조에 70㎱로 작동하는 4M, 8M 비동기식 의사(asynchronous pseudo) S램인 ‘콤팩트셀(CC) S램’을 독자기술로 개발완료하고 다음달부터 대만 UMC를 통해 양산에 들어간다고 27일 밝혔다.

　이 제품은 D램 셀 구조와 공정을 이용하기 때문에 셀당 트랜지스터수를 줄여 칩크기를 기존 S램의 절반 정도로 축소하고 원가를 대폭 절감한 반면 S램의 장점인 고속 액세스 기능과 높은 전력효율을 동시에 갖고 있는 것이 특징이다.

　특히 행주소와 열주소를 동시에 입력(non-muliplexed adress)시키고 리프레시 기능을 외부 컨트롤 없이 내부에 집적한 것은 이 회사의 독장적인 기술로 국내외에 특허를 출원한 상태다.

　또한 이 제품은 기존 S램과 핀 호환이 되도록 설계됐기 때문에 이동전화단말기나 PDA 등에 별도의 작업없이도 곧바로 적용이 가능하다.

　이 회사는 이미 국내외 10여개 이동전화단말기 제조업체에 샘플을 공급했으며 이르면 4분기중으로 이를 탑재한 시스템이 출시될 예정이다.

　현재 이 회사는 16M, 32M 후속제품과 차세대 이동통신기기에 적용할 수 있는 고성능 S램을 개발중이다.

　해외 벤처캐피털 및 엔젤의 투자를 받아 지난해 3월 설립된 이 회사는 국내 대기업 출신 연구개발 인력 30여명으로 구성돼 있으며 최근 ISO9001인증을 획득했다.

<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>