모토로라, EUV 마스크 개발

　조만간 컴퓨터 칩의 회로를 종전보다 50% 이상 조밀하게 설계할 수 있게 될 전망이다.

　모토로라는 극초자외선(EUV:Extreme Ultra-Violet) 리소그래피 기술을 적용하는 데 필요한 핵심 도구인 EUV 포토마스크를 개발했다고 캘리포니아 마사데나에서 열린 국제 세마테크 차세대 리소그래피 워크숍에서 밝혔다.

　포토마스크는 빛을 선별적으로 통과시켜 웨이퍼상에 회로를 만드는 데 사용되는 장비로 이번에 모토로라가 개발한 EUV 마스크는 보다 정교한 회로 설계가 가능하도록 일반 빛보다 훨씬 파장이 짧은 EUV를 사용하는 것이 특징이다.

　모토로라측인 EUV 마스크를 이용할 경우 칩의 회로선폭을 인간의 머리카락보다 100배 가는 100나노미터보다 작게 만들 수 있도록 해준다고 설명했다. 이에 비해 현재 산업 표준은 차세대 회로선폭 기술을 157나노미터로 설정해 놓고 있다.

　이 회사의 디지털DNA연구소 이사인 조 모가브는 “EUV 공정으로 궁극적으로는 13나노미터 정도의 미세 회로 설계가 가능할 것”이라며 “모토로라의 EUV 마스크 패턴공정이 산업 표준과 호환돼 상용으로 손색이 없다”고 강조했다.

　모토로라는 2002년 이번에 개발한 기술을 적용한 칩을 생산하고 2005년께는 EUV 마스크의 대량생산이 가능할 것으로 기대하고 있다.

　한편 현재 포토리소그래피 공정은 무어의 법칙이 지속된다는 가정하에 2012년 경이면 물리적인 한계를 맞을 것으로 예상된다.

　<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>