삼성전자, 3세대 256M 램버스D램 양산

　램버스 D램 시장을 주도하는 삼성전자가 초미세 공정을 적용한 256Mb 제품을 주력제품으로 육성한다.

　삼성전자는 회로선폭 0.15미크론(1㎛은 100만분의 1m) 공정을 적용한 3세대 256M 램버스 D램(사진)의 양산에 들어갔으며 연말께 0.13㎛ 공정의 4세대 램버스 D램 제품을 양산할 예정이라고 7일 밝혔다.

　지금까지 주력 램버스 D램은 0.17㎛ 공정을 적용한 128M 제품이었다.

　삼성전자는 올해 말부터 램버스 D램 시장의 주력제품으로 128M에서 256M로 세대교체가 이뤄질 것으로 보고 이번에 양산에 들어갔다.

　삼성전자는 상반기에 램버스 D램 시장의 60%를 점유했으며 이번에 0.15㎛ 공정을 적용한 256M D램을 업계에서는 처음 양산함으로써 선두업체로서의 위상을 확고히 하게 됐다.

　특히 0.15㎛ 공정을 적용해 기존 0.17㎛ 공정보다 웨이퍼당 칩 생산량을 30% 이상 늘렸으며 내부 신호처리 속도는 기존 800㎒에서 1㎓ 이상으로 높였다. 일반 SD램과의 칩 크기 차이도 기존 0.17㎛ 공정의 23%에서 9%로 줄여 원가를 획기적으로 낮췄다.

　4세대 공정을 적용할 경우 크기 차이는 3%로 줄어들어 내년 상반기중 출시될 4뱅크짜리 보급형 램버스 D램의 경우 경쟁제품인 더블데이터레이트(DDR) SD램보다 생산비용을 10% 정도 낮출 수 있다.

　삼성전자는 앞으로도 지속적으로 램버스 D램의 생산원가를 절감해 시장 주도권을 유지할 계획이다.

　램버스 D램은 고성능 PC, 워크스테이션, 게임기에 주력으로 채택되고 있으며, 800㎒ 이상의 고성능을 바탕으로 디지털TV, 세트톱박스 등 차세대 디지털 미디어 기기용 메모리 제품으로도 수요가 크게 확대될 전망이다.

　<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>