D램업계가 미세 회로선폭 공정 기술

　D램업계가 올 하반기에 신규투자를 억제하는 대신 미세회로선폭 공정기술의 개선을 통한 원가경쟁력 향상에 집중한다.

　1일 업계에 따르면 삼성전자·마이크론테크놀로지·하이닉스반도체·인피니온 등 주요 D램업체들은 300㎜(12인치) 웨이퍼 공장을 비롯한 신규투자를 내년 이후로 연기하는 대신 기존 공정에 비해 단위생산량을 30% 이상 늘릴 수 있는 0.15미크론(1미크론은 100만분의 1m) 이하 미세공정의 도입을 앞당기기로 했다.

　이같은 방침은 투자부담과 공급과잉의 가중을 불러올 신규 투자보다는 기존 생산라인의 생산원가를 줄이는 게 최근의 불황에 대응한 원가경쟁력 향상은 물론 시장지배력 확보에도 도움이 된다는 판단에 따른 것이다.

　반면 올 하반기부터 본격화할 것으로 예상됐던 D램업계의 300㎜ 웨이퍼 공장 건설 계획은 내년 이후로 6개월 이상 순연될 전망이다.

　삼성전자는 오는 9월말까지 0.17∼0.19미크론 공정의 90% 이상을 0.15미크론으로 전환키로 했으며 미국 마이크론도 0.18미크론인 공정을 연내 0.15미크론으로 바꿀 계획이다. 하이닉스반도체 역시 하반기 투자금액을 공정업그레이드에 집중키로 하고 라인의 절반 가까이를 연내 0.15미크론으로 전환키로 했다.

　또 인피니온은 0.14미크론 공정을 도입할 예정이며 NEC와 히타치 합작사로 내년부터 본격 생산에 들어가는 엘피다메모리 역시 0.15 이하 미크론을 적용키로 하는 등 대만업체를 포함한 대부분 D램업체들이 연내 0.15미크론 이하 공정을 도입할 것으로 예상됐다.

　 <신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>