하이닉스반도체, 차세대 기억소자로 각광 1메가 Fe램 개발

하이닉스반도체(대표 박종섭 http://www.hynix.com)는 차세대 기억소자로 주목받는 강유전체메모리(Fe램:Ferroelectric RAM)의 1메가 제품을 개발했다고 3일 밝혔다.

　Fe램은 신뢰성 확보의 한계로 인해 64K 및 256K급의 저용량 제품이나 이보다 낮은 용량의 메모리 및 논리회로 복합 칩만 상용화하는 데 그쳤으나 이번 하이닉스의 제품 개발로 대용량화가 급진전하게 됐다.

　Fe램은 전원이 끊어져도 저장한 데이터를 잃지 않는 비휘발성 메모리로 D램·S램·플래시메모리의 장점을 두루 갖춘 이상적인 기억소자다. 특히 데이터 유지용 커패시터로 강유전체막을 이용함으로써 기존의 비휘발성 기억소자인 플래시메모리나 EEP롬보다 동작전압이 낮고, 정보기록 속도가 1000배 이상 빠르다.

　하이닉스는 이 제품에 0.35㎛(1미크론은 100만분의 1미터)의 미세가공기술을 적용했으며 3∼5V의 동작전압으로 100나노초(1ns는 10억분의 1초)로 고속 동작한다.

　또 이 제품은 트랜지스터와 커패시터를 각각 각각 2개씩 구성한 기존 제품과 달리 각각 1개씩 구성해 칩 크기를 줄였으며 강유전체 물질로 스트론튬 비스무스 탄탈레이트(SBT)와 하이닉스가 자체 개발한 신물질을 사용했다.

　하이닉스반도체는 Fe램 제품이 차세대 이동통신기기 및 스마트카드용으로 수요가 늘어날 것으로 보고 연구개발을 지속적으로 강화할 방침이다.

<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>