후지쯔 반도체 투자

　일본 후지쯔가 1000억엔을 들여 도쿄 근교에 최첨단 반도체 개발과 제조를 동시에 수행하는 이른바 ‘연구개발형 생산거점’을 만든다고 ‘일본경제신문’이 보도했다.

　이 신문에 따르면 후지쯔는 기술 개발 및 상품화 속도를 높이기 위해 연구·시험 제작과 공장 기능을 겸비한 전략 거점을 신설한다.

　세계 최대 반도체업체인 미국 인텔도 연구개발형 생산거점에 적극 투자하며 차세대 기술 개발을 주도하고 있는 상황에 후지쯔도 유사한 형태의 거점 마련에 나섬에 따라 그동안 연구개발과 거점 공장을 원칙적으로 분리해온 다른 반도체 제조업체들의 향후 투자 전략에 변화를 가져올 전망이다.

　후지쯔는 5개년 계획으로 이 연구개발형 생산거점 건설을 추진한다. 우선 올 가을 8인치 웨이퍼 환산으로 월 1000장 정도의 시험 제작에 들어간 뒤 긍국적으로 월간 1만장 규모의 생산 체제를 갖출 계획이다.

　특히 이 공장에는 세계 최고 수준인 선폭 0.10미크론의 미세가공에 대응하는 제조장비를 도입해 칩 소형화와 고속화에 필요한 미세화 기술의 실용화를 서두를 계획이다. 후지쯔 관계자는 “새 설비로는 고속·대용량의 브로드밴드(광대역) 통신을 매개로 고화질 영상을 동시에 수신·녹화할 수 있는 시스템LSI의 제조가 가능하다”고 말했다.

　후지쯔는 또 연구개발형 생산거점 추진을 계기로 범용 제품에 대해서는 투자를 억제하고 위탁 생산을 늘리는 선별투자를 보다 확고히 해나갈 방침이다. 위탁생산 비율은 현재의 약 10%에서 20∼30%로 높일 계획이다.

　한편 인텔은 캘리포니아주와 오리건주 2곳에 연구개발형 생산거점을 두고 있는데 이들 양 거점에서 최첨단 반도체 생산을 본격화한 뒤 세계 각국 공장에 생산기술을 이관해 생산량을 한꺼번에 확대하는 생산 전략을 전개하고 있다.

　이 회사는 올 설비투자비로 전년비 12% 증가한 75억달러를 예정하고 있는데 연구개발형 생산거점에 선폭 0.13미크론의 생산설비를 도입하는 등 적극 투자할 방침이다.

<신기성기자 ksshin@etnews.co.kr>