日 반도체 5사, 내년 설비투자「강공」

일본을 대표하는 반도체 5사의 내년도 설비투자가 올해에 이어 고수준을 유지할 전망이다.

「전파신문」은 북미를 중심으로 PC시장의 성장세가 둔화되고 있음에도 불구, 후지쯔, 미쓰비시전기, 히타치제작소, 도시바, NEC 등 주요 반도체 5사의 2001년 설비투자액이 올해의 9600억엔보다 소폭 감소한 8200억엔 규모가 될 것이라고 내다봤다. 이 신문은 그러나 휴대폰 단말기용 플래시메모리 및 디지털 TV, 디지털 카메라용 시스템 LSI 등의 수요는 올해에 이어 내년에도 크게 확대될 것이라고 분석하고 반도체 신규 설비투자는 전반적으로 활기를 띨 것이라고 보도했다.

특히 일본 반도체업계는 기존 라인의 증산을 위한 투자보다는 최첨단 미세가공기술 등에 새로이 투자할 움직임을 보이고 있다고 이 신문은 덧붙였다.

후지쯔는 내년도에도 올해 설비투자액인 2200억엔과 거의 같은 수준의 투자를 단행할 것이라고 밝혔다. 이 회사는 플래시메모리 및 0.18㎛ 대응의 시스템온칩(SoC)을 설비투자의 주력으로 삼는다는 계획이다. 이 회사 시라이 히토나리 전무는 『디지털 카메라의 급증, 디지털 TV시장의 형성 등으로 0.25∼0.18㎛ 공정을 이용한 SoC 생산라인은 내년 상반기까지 공급 부족상태가 계속될 것으로 보이며 플래시메모리 역시 휴대폰 단말기의 수요증가와 메모리 용량의 확대에 따라 시장규모가 올해 1조엔에서 내년에는 이보다 1∼1.5배 늘어난 수준이 될 것』이라고 전망했다.

이에 따라 후지쯔는 독자 개발한 FC램을 S램을 대신한 휴대폰 단말기용 메모리로 선정, 월 1000만개 생산체제를 갖춘다는 계획이다. 이를 위해 미국 AMD사와 플래시메모리 제조합작사인 「후지쯔AMD세미컨덕터」의 신규 공장, 미국의 그래샴 공장을 확충하는 등 내년에도 고수준의 설비투자를 단행한다는 방침이다.

히타치제작소는 내년도 설비투자액을 올해 2040억엔보다 20% 늘릴 계획이다. 이 회사의 이시바시 마사시 전무는 『올해에는 대만 UMC와의 합작사인 「트리센티테크놀로지」 신공장에서 300㎜ 웨이퍼를 주력 생산하고 카드용 마이크로컨트롤러 증산을 위해 「고후제조본부」의 생산 능력을 증강하는 데 주력했지만 내년에는 0.15 및 0.13㎛ 공정라인으로의 이행을 중심으로 설비투자할 방침』이라고 밝혔다. 설비투자액은 1600억엔을 계획하고 있는 것으로 알려졌다.

도시바는 투자규모를 줄인다. 이 회사 모리모토 하타오 전무는 내년도 투자액과 관련 『올해 투자액인 1700억엔을 최대치로 잡고 이보다 500억엔 감소한 1200억엔까지를 설비투자액으로 검토중』이라고 말했다. 이 회사의 투자는 하이엔드제품의 생산거점인 욧카이치공장 및 미국의 도미니온세미컨덕터 공장에 집중된다.

또 NEC와 미쓰비시전기는 내년 설비투자 규모를 놓고 현재 고민중이다. NEC는 2000억엔 정도를 투입해 최첨단 제품의 안정적인 공급체제를 확립할 방침이며 미쓰비시전기는 올해보다 조금은 감액된 투자를 검토하고 있는 것으로 알려졌다.

<명승욱기자 swmay@etnews.co.kr>